【摘 要】
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作为一种直接宽带隙半导体材料,ZnO具有优于其它半导体材料独特的性质,其室温下带隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),因此其特别适用于制备
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春130012集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春130012;大连理工大学物理与光电工程学院,大连11602
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作为一种直接宽带隙半导体材料,ZnO具有优于其它半导体材料独特的性质,其室温下带隙宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,远高于室温热离化能(26 meV),因此其特别适用于制备高效率的短波长发光器件,如紫外发光二极管或激光器.ZnO在自然界中呈现出很多种形态结构,如单晶薄膜、纳米结构、体单晶和粉末等,其形态差异决定着其不同的工作性能和应用范围,因此,对ZnO形貌结构的调控一直以来都是一个非常重要的研究课题.
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