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为研究在ZnSe单晶中Al杂质的行为，在700℃～900℃温度范围内，把Al热扩散到ZnSe晶片中，然后用霍尔测试，光致发光光谱及深能级结电容瞬态谱等方法研究了Al杂质。实验结果表明：载流子浓度随扩散温度的升高而增加，但其变化不大，这是由于在热扩散过程中产生的深能级引起的。（本刊录）
Al在ZnSe中行为的研究
【摘 要】
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为研究在ZnSe单晶中Al杂质的行为，在700℃～900℃温度范围内，把Al热扩散到ZnSe晶片中，然后用霍尔测试，光致发光光谱及深能级结电容瞬态谱等方法研究了Al杂质。实验结果表明：载流子浓
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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第四届全国发光学术会议
【发表日期】
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1986年期
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