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锰掺杂硅与铁掺杂硅材料由于被认为可以作为很有发展前景的铁磁半导体(FMS)材料而得到越来越多的研究。所以,了解这类材料的微结构对于材料生长和了解它们的物理性质是非常重要的。双晶X射线衍射(DCXRD)对于研究这类材料提供了一个非常有力的工具。在本文中,笔者用双晶XRD研究了锰掺杂硅薄膜与铁掺杂硅薄膜微结构,从双晶XRD结果可以发现,随退火温度提高,锰或铁在硅薄膜的晶格中由填隙位置变为替位位置。