准二维的纳米薄片或薄膜材料的平面结构与传统硅基器件工艺兼容,更容易构筑复杂的电子器件和集成电路。此外,由于维度受限导致的小尺寸效应、表面效应和量子尺寸效应的作用,准二维材料具有极高的比表面积和独特的物理化学性质,在功能结构材料、新型纳电子器件和集成电路、传感、催化与清洁能源等领域有重大的应用前景。层状的In2Se3 是一种重要的光电材料和相变材料,也是制备新一代薄膜太阳能电池材料Cu-In-Se 理想的化学前驱体。相对于块体材料,In2Se3 准二维原子晶体具有独特的光电性质和奇异的相变特性。我们利用“范德华外延”生长技术,通过一种简单的气相沉积方法在惰性基底上外延生长出厚度在1～10 纳米的高质量的In2Se3 纳米单晶薄片。此外,我们通过控制In2Se3 在基底上的成核位点,实现了In2Se3 的定点生长,生长出图形化In2Se3 二维纳米结构,并利用AFM、SEM、Raman、TEM 等对其形貌和结构进行了表征。我们在In2Se3 准二维原子晶体的可控生长和表征方面的基础研究,为In2Se3 电学性质的测量和相关光电器件的制备,以及进一步的应用打下了坚实的基础。