【摘 要】
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本文采用真空热蒸发法在50μm的聚酰亚胺薄膜上蒸镀5~8μm的铜层,并用激光掩模打孔法在其上制备了孔径80μm、孔间距285μm的GEM复合薄膜,成功组装了20mm×20mm的GEM探测器.对GEM探测器在Fe X射线(5.9keV)辐照下进行了脉冲幅度分布谱测试,讨论了漂移区电场、AGEM电场、收集区电场对探测器记数的影响.
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系(上海)
【出 处】
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上海市有色金属学会、上海市金属学会半导体材料专委会学术年会
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本文采用真空热蒸发法在50μm的聚酰亚胺薄膜上蒸镀5~8μm的铜层,并用激光掩模打孔法在其上制备了孔径80μm、孔间距285μm的GEM复合薄膜,成功组装了20mm×20mm的GEM探测器.对GEM探测器在<55>Fe X射线(5.9keV)辐照下进行了脉冲幅度分布谱测试,讨论了漂移区电场、AGEM电场、收集区电场对探测器记数的影响.
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