氧氮共注相关论文
本文采用不同的注N剂量、不同的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料.采用二次离子质谱(SIMS)分析了材料退火之后的离子分布,结......
采用氧氮共注的方法制备了SIMON圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并进行了埋层结构与抗辐射性能的机理分析.结......
采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离SOI(SIMON)圆片,对制备的样品进行了二次离子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能......
分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料，并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析，结果发现退火之后......
采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射......
由于SOI材料中绝缘埋层（BOX）的存在，SOI器件抗总剂量辐照效应的能力受到限制。针对该问题，为提高常规SIMOX SOI材料的抗总剂量水平，本论......
