双冷源温湿度独立调节系统在某办公楼中的应用探讨

来源 :2015年山东省暖通空调制冷热动学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lv_yj
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文描述了在济南某办公楼中,采用基于内冷式双冷源独立除湿技术的温湿度独立控制空调系统的设计方法及系统组成.采用高温冷水与低温热水来进行供冷与供热,从而在根本上降低了空调系统的能耗水平,以实现整个空调能源系统的节能运行.结果表明内冷式双冷源独立除湿技术无论是从舒适性,还是从节能效果上都有良好的表现.
其他文献
声表面波(Surface Acoustic Wave,SAW)器件是射频滤波、信号延迟、脉冲压缩等,是无线通讯、导航等领域中信号处理技术的核心元件之一,具有插入损耗低、阻带抑制比高、带宽较宽的优点,而且制作工艺简单,制作成本低,便于集成.SAW传感器还可用于气体传感、物质识别和定量分析,在医疗、生物、材料分析领域有广阔的应用前景.本研究采用在蓝宝石上用分子束外延生长的高质量AIN单晶薄膜和Ti/A
作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展了二维ZnO纳米墙网络结构在可控制备、生长机制及其光学特性方面的研究,并通过构建n-ZnO纳米墙网络/p-GaN异质结器件验证该纳米结构材料作为发光层的应用可行性.实验发现,所制备的器件表现出优良的发光性能,在直流驱动(12.
近年来,由于氧化物薄膜晶体管(TFT)具有迁移率高、均匀性好、对可见光透明以及成本低等诸多优点广泛被应用于平板显示领域如有源矩阵液晶显示(AMLCD)和有源矩阵发光二极管(AMOLED).经过十多的发展,氧化物TFT的性能得到很大程度的地提高,其迁移率、电流开关比、阈值电压等方面的性能已经基本满足驱动AMLCD和AMOLED的需要.但高清、柔性显示时代的到来,对氧化物TFT的性能提出了更高的要求和
随着氢气这一清洁能源广泛应用,能有效检测氢气、高灵敏度、响应快且廉价的传感器成为工业上的迫切需求.在这项工作中,结合射频磁控溅射和水热方法,合成一种室温(25±5℃)下性能优良的TiO2薄膜氢气传感器,其不但拥有优良的检测灵敏度和稳定性,更重要的是能满足25±5℃下检测氢气的要求,无需额外加热系统,成本低廉.其最低探测极限在室温下低至1ppm,采用1V的电压源做驱动,其电阻变化高达4%,且响应时间
Gallium nitride (GaN) was considered to be the most important semiconductor material since silicon,due to its wide band gap (3.39eV) and some other excellent properties.Some conventional application w
近年来,非晶InGaZnO(IGZO)基薄膜晶体管(TFT)因其高迁移率、高光学透过率、低制备温度和低成本等优点,吸引了学术界及工业界广泛关注,在未来大尺寸平板显示技术发展中具有很大潜能.尽管a-IGZOTFT表现出了较好的器件性能,但是其在栅极偏压下的电学稳定性仍然是实际应用中需要解决的关键问题之一.a-IGZO TFT有源层与栅介质层之间存在着高密度的界面态,会影响器件在栅极正偏压下的电学稳定
高纯氨在以GaN为基础的蓝绿光LED芯片制造中扮演着关键原材料的角色,虽然它在GaN外延片中只占4%左右的成本.不同于其他原材料,高纯氨跟整座LED外延片工厂的运行密切相关,也就是说,一旦高纯氨出现质量问题,可能会影响到所有MOCVD机台的运行,存在着全局性的风险.从一定的视角看,高纯氨是GaN LED芯片制造中最关键的原材料.合成法的一个优点是:工艺过程中的纯度检测相当简单,只要检测H2和N2的
近年来,随着显示技术的迅速发展,非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管由于其较好的均匀性和高迁移率得到了广泛的应用.通常沉积IGZO薄膜技术主要为射频磁控溅射(RF),由于需要在溅射过程中放电,沉积速率较低,不利于提高生产效率,降低成本.而直流磁控溅射(DC)与RF相比,无放电过程,溅射速度快.采用DC制备了a-IGZO TFT,如图1.在相同功率条件下,沉积速率从RF的3.5nm/min提高到DC的30nm/
Electrical properties of Al0.07Ga0.93N: Mg samples with different carbon impurity concentrations were investigated by Hall measurements.By reducing carbon impurity concentration from 2× 1018 cm-3 to 5
The past decades have witnessed a tremendous advancement in the GaN-based light emitting diodes (LEDs) for general illumination applications.As we know,sapphire is one of the most common used substrat