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本文提出了含有抗ESD二极管的集成SOILIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,给出了结构实现的工艺控制要求.
集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法初探
【摘 要】
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本文提出了含有抗ESD二极管的集成SOILIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了
【机 构】
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浙江万里学院计算机科学与信息学院,宁波,中国,315100
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
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