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利用射频磁控溅射沉积方法,在c-轴取向上石墨片衬底上,没有衬底加热和负偏压的条件下首次制备出高质量的cBN 厚膜.研究了实验中涉及的各种实验参数对样品制备的影响,包括:射频功率、沉积时间和衬底负偏压对制备BN 膜的影响.掌握了石墨衬底上沉积cBN 厚膜的适合条件,并对所得的高含量立方相BN 膜的光学性质、场发射性质做了分析.