背栅控制的铋硒薄膜中的线性磁阻

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sinolee

【摘要】

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我们通过背栅极调节铋硒薄膜中的载流子浓度,并由此对材料的磁阻进行了调控.我们发现,当栅极偏压向负方向增大的时候,磁阻得到显著增强,最大可至约 100％,对磁场的依赖关系也由

【作者】

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高波 P.Gehring M.Burghard K.Kern

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海 200050 中国

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

控制薄膜线性材料载流子浓度随温度变化栅极依赖关系

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我们通过背栅极调节铋硒薄膜中的载流子浓度,并由此对材料的磁阻进行了调控.我们发现,当栅极偏压向负方向增大的时候,磁阻得到显著增强,最大可至约 100％,对磁场的依赖关系也由抛物线型转变为线性.与此同时,我们还发现材料的电阻随温度变化的曲线由金属型转变为半导体型,材料在弱磁场下还显示出明显的弱反局域化行为.

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