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我们通过背栅极调节铋硒薄膜中的载流子浓度,并由此对材料的磁阻进行了调控.我们发现,当栅极偏压向负方向增大的时候,磁阻得到显著增强,最大可至约 100%,对磁场的依赖关系也由抛物线型转变为线性.与此同时,我们还发现材料的电阻随温度变化的曲线由金属型转变为半导体型,材料在弱磁场下还显示出明显的弱反局域化行为.