Φ400mm的YBCO双面高温超导薄膜研究

来源 :第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tower2008
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
该文采用倒筒式直流溅射(ICS)方法,辐射方式加热基片,通过电机带动旋转基自在 基片两面同时溅射沉积YBCO高温超导双面薄膜。在加热温度为850℃,总压35Pa,氧氩比1:2,靶基矩40mm,沉积速率0.06nm/s条件下,在多种尺寸的LaAlO<,3>(100)单晶基片上(≤Ω40mm)制得性能优良、两面一致、面内均匀的YBCO高温超导双面薄膜。其中20mm×20mm样品两面性能达到:Tc<,0>=89.1K,△Tc=0.2K,Jc1=2.69MA/cm<2>,Jc2=2.74MA/cm<2>(77K,0T),Rs1=0.24mΩ,Rs2=0.29mΩ(77K,10GHz,0T)。并简要介绍了作者在德国KfK研究中心制作3英寸YBCO/Al<,2>O<,3>/YBCO双面膜的制备工艺。
其他文献
在Gleeble2000热力模拟机上采用应力松驰方法,研究了新型非调质油井管用钢33Mn2V在600°C~950°C范围含钒碳氮化物的应力诱导析出行为.结果表明:实验用钢的PPT曲线具有双"C"型特征,析出孕育期最短温度分别大致为850°C和600°C,其分别是富N的V(CxN1-x)和富C的V(CxN1-x)沉淀析出最快温度.析出相形貌主要为方形和圆角方形,其中方形颗粒是均热过程中未溶解的TiN
作者通过脉冲激光淀积的方法在Y-ZrO衬底上原位生长了Pb(ZrTiO/YBaCuO双层薄膜,在此样品上利用电子探针分析了成份,X衍射谱证明 了两层薄膜的单取向生长。并对Pb(ZrTiO薄膜的铁电性质进行了测试,得到了典型的电滞回线。
采用脉冲激光沉积镀膜的方法,在钛酸锶单晶基片上制备了具有自发生成的有序微裂纹结构的LaCaMnO(LCMO)薄膜。通过制备工艺的优化,获得了具有不同裂 纹密度的LCMO薄膜,并采用离子刻蚀技术改善裂纹的微结构实现裂纹宽度的精确控制。这为单条微裂纹隧道结的制备提供了很大的方便。文中详细地讨论了薄膜制备工艺与薄膜结构的关系,以及薄膜表面的改善方法。
该文讨论了基于快速单磁通量子(简称RSFQ)电路的调制解调器模型,根据这一模型作者对该调制解调器的相关的逻辑电路进行了设计,给出了它们的工作原理和特性。在此基础上作者从数字式RSFQ调制解调器模型进行了设计和仿真计算,表明设计是合理的,达到了预期的效果。
该文通过多种实验手段对Ag/YBCO薄膜在高温退火后,Ag膜与YBCO薄膜发生的相互作 用进行了研究。结果表明,一部分Ag扩散到YBCO薄膜内部。但并没有发生化学作用,作者认为Ag有可能在YBCO的晶界处形核生长,在YBCO晶格内部产生应力,导致晶格畸变,使Ag与YBCO的接触电阻值大幅增长。
利用超薄SiO作缓冲层,在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜,SiO的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄膜极化性能良好,饱和极 化、剩余极化分别为26uC/cm和10uC/cm,矫顽场为70kV/cm,且在栅压为0.5V时观 察到明显的场效应,且在栅撤璃后具有“记忆”功能。
为了利用超导薄膜制作高性能电子器件和电路,必须发展超导薄膜的平面工艺。该文采用脉冲激光和掩膜方法进行了YBCO超导薄膜局域改性的实验研究,对改性条件等参数作了详细报道,并对改性的薄膜作了成分及超导电性的分析。最后利用微波近场显微镜对用激光局域改性方法制作的YBCO薄膜条纹器件进行了微波特性分布的分析。结果表明这是一种合适的制作高Tc超导薄膜器件的方法。
该文介绍了SIS结混频器的研究目的和方法。同时介绍了实验中有关部件的设计。并 给出了相关的基波混频和次谐波混频初步的测试结果。
该文报道了零场冷却(ZFC)和场冷(FC)两种情况下单块YBaCuO高温超导块在NdFeB导轨上的悬浮力和俘获磁通,其零场冷却时的最大悬浮力达106N(14.7N/cm),分析了不同条件下的悬浮力、侧向稳定性及悬浮刚度。
设计了与脉冲管制冷机配套瓣微波耦合、中频测量混频系统,初步研究了高温超导YBCO/YSZ双晶结在脉冲管制冷机上的混频实验,在脉冲管制冷机上实现了YBCO/YSZ双晶结在8mm波段36次谐波混频。