GSMBE生长的镓面极性氮化镓材料

来源 :中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：quake

【摘要】

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氮化镓(GaN)材料在蓝、绿光光电子器件和高温、高频大功率微电子器件领域有着广泛的应用,而材料极性对氮化镓材料及器件有着重要的影响.本文用NH3作氮源,采用气源分子束外延(

【作者】

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王军喜;王晓亮;孙殿照;刘宏新;胡国新;李晋闽;曾一平;林兰英;

【机构】

：

中国科学院半导体研究所材料中心,北京100083信箱

【出处】

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中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会

【发表日期】

：

2002年期

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氮化镓(GaN)材料在蓝、绿光光电子器件和高温、高频大功率微电子器件领域有着广泛的应用,而材料极性对氮化镓材料及器件有着重要的影响.本文用NH3作氮源,采用气源分子束外延(GSMBE)方法在(0001)蓝宝石衬底(Al2O3)上生长出了高质量的镓面极性氮化镓单晶外延膜.用反射高能电子衍射仪(RHEED)、化学试剂腐蚀和原子力显微镜等方法对所生长的氮化镓材料的极性进行了研究.室温霍耳测量显示氮化镓外延膜的电子迁移率为290cm2/V.s.材料质量属目前国际上用同类方法生长出的氮化镓外延膜的先进水平.

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