基于KNN铁电单晶多铁异质结的微波调谐性能研究

来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:godkillboy
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  利用射频磁控溅射方法在铌酸钾钠(KNN)无铅铁电单晶衬底上沉积制备CoFeB磁性薄膜,并通过铁磁共振系统对测量该多铁异质结构的磁电耦合和温度稳定性能进行测量。
其他文献
会议
and
  目前,对KDP晶体的研究主要集中在晶体的生长和性能两方面,以满足ICF的需要。采用连续过滤的方法,可以有效减少生长溶液中的各类杂质及微晶,有效提高了溶液的稳定性,非常有利于
  CdTe系列半导体化合物,是一种新型的χ和γ射线探测材料,被广泛的应用于医学成像、空间探测、核安全检查等领域。垂直布里奇曼法具有设备简单,操作方面和生长速度快等优点,成
  晶体生长时,籽晶的取向决定了生成晶体的方向,籽晶的取向是如何影响生长基元的形成和取向,这是一个在理论和实验中都需要解决的晶体生长机理的关键问题。
  在熔融法生长晶体过程中,原位测量晶体生长边界层内微观结构的演变是研究晶体生长微观机理的一个重要方法。在本工作中,采用高温显微Raman光谱技术和同步辐射X射线吸收精细
  通过热扩散键合方法制备了YLF/Tm:YLF/YLF键合晶体,键合晶体的尺寸为5mm(高度)×20mm(宽度)×40mm(长度).键合晶体中间为Tm:YLF晶体,Tm:YLF晶体长度为35mm,掺Tm离子浓度为2.
  针对典型的微向下提拉法蓝宝石生长炉中钛杂质的分凝过程,利用Comsol软件对不同晶体直径下的Ti杂质在坩埚内熔体、弯月面熔体和沿晶体中的分布进行了数值模拟分析。
  由于TlBr晶体硬度较低,晶片的表面处理对晶体性能尤为重要.本文分别以去离子水、HBr溶液、以及5%的溴甲醇溶液做溶剂,以刚玉粉W0.5作为研磨介质,研究了溴化铊晶体的表面化学
  MOCVD生长半导体晶体过程中存在严重的气相化学反应,会降低源的利用率,增加系统的能耗,影响批次晶片的均匀性和所有晶片的生长质量,使得设备的重复性和稳定度难以达到要求。
  铌酸锂晶体是一种应用广泛的多功能晶体,它具有良好的压电、非线性光学、光电以及光折变性能。该晶体可以实现全息存储,目前这方面的应用已经得到了广泛的研究。铌酸锂之所