气相化学反应相关论文
AlN单晶薄膜是重要的第三代半导体材料,具有宽带隙、耐辐射、耐高温等特点,广泛用于制备半导体发光器件和功率器件。金属有机化学......
氮气是地球大气圈四分之三的组分,以及其他行星的重要组成成分.观测到大气中氮气15N15N相对随机分布状态呈现+19‰富集.这种富集超......
MOCVD生长半导体晶体过程中存在严重的气相化学反应,会降低源的利用率,增加系统的能耗,影响批次晶片的均匀性和所有晶片的生长质......
氮化铝(AlN)是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体薄膜材料,广泛应用于制备高亮度LED、紫外探测器和高频大功率器件。金属有机气相化学沉......
改良西门子法是制造高纯多晶硅材料的重要技术路线,其中的主要设备化学气相沉积(CVD)反应器内所发生的物理化学变化十分复杂.对于......
利用金属氧化物催化剂催化甲烷偶合反应中关键的一步是形成CH3·自由基。气相化学反应与计算化学相结合的探索发现了氧中心自......
该论文分两大部分,第一部分介绍利用激光溅射-分子束技术研究金属离于与乙硫醇的气相反应,并用密度泛函理论研究了反应形成的团簇......
近几年,全国各地严重雾霾天气频发,人们越来越关注空气污染问题。碳烟颗粒作为柴油机主要排放物,是空气污染的直接污染源。大量碳......
自从能大量合成金属富勒烯包合物以来,人们对其合成、分离和结构、性质表征、化学修饰等领域进行了广泛的研究。但是,到目前为止,前人......
为了研究太根发射药气相燃烧过程中的物理化学过程,本文建立了气相化学反应的总包燃烧模型。通过与相关实验和文献结果比较,验证了......
利用激光溅射-分子束的技术,结合反射飞行时间质谱计,研究了Cu+、Ag+、Au+与乙硫醇的气相化学反应.结果显示这三种金属离子与(CH3C......
用激光溅射-分子束技术,研究了几种过渡金属离子与乙腈团簇分子的气相化学反应。根据反射式飞行时间质谱检测的结果,不同的过渡金属离......
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系统由于体积改变而与环境交换的能量称为体积功,其定义式为: dW=-p(环)dV (3—1)式中p(环)代表环境的压力......
本讲只讨论气相化学反应(包括有纯固相参加的气相化学反应),特别是理想气体化学反应。 由气态物质的化学势与其逸度(理想气体的逸度......
利用一个三维的冰雹云模式与化学组分输送模块耦合,得到云输送引起大气光化学组分的再分布,然后用一个包含详细气相化学反应机制的箱......
激光诱发气相化学反应合成超细粉末是目前陶瓷粉体工艺中的前沿性课题.本文评述了粉末原料特性对于陶瓷材料的烧结过程以及制品性......
利用激光溅射-分子束的方法研究了Al^+和乙硫醇的气相化学反应,结果观察到了Al^+与1-6个乙硫醇分子形成的团簇离子.对团簇离子进行了......
在本文第Ⅰ部分所述实验规律的基础上,根据能量守恒原理,给出一个简化理沦模型,并由此导出反应温度T与工艺参数之间的关系式:T=T<s......
AlN是重要的宽带隙半导体材料,具有耐高温、高击穿场强等特点,是制备紫外和深紫外器件的关键材料。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是......
金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备GaN薄膜器件包括发光二极管和半导体激光器的关键工艺。在高温生长条件下,作为反应前体的Ga(CH......
由于InAlN材料在In含量为17.6%时,可以与GaN晶格实现的无应力状态的晶格匹配,因而受到了广泛的关注和研究。但是由于受到了In N和A......