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硅片表面存在台阶时，由于光刻胶的折射作用，会在台阶附近造成曝光盲区，引起光刻残胶。该文给出了残胶量与倾角大小、涂胶厚度之间的解析关系式并对光刻工艺进行了计算机模拟。为减少残胶量，须将台阶倾角减至某个阈值以下，而在线条间距较小并与台阶走向平行时，应避开台阶斜面。
表面台阶光刻胶折射与盲区效应
【摘 要】
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硅片表面存在台阶时，由于光刻胶的折射作用，会在台阶附近造成曝光盲区，引起光刻残胶。该文给出了残胶量与倾角大小、涂胶厚度之间的解析关系式并对光刻工艺进行了计算机模拟。为
【机 构】
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大学微电子学研究所(北京)
【出 处】
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第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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1999年期
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