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利用光致发光材料薄膜增强硅基太阳能电池转换效率
【机 构】
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复旦大学·光科学与工程系
【出 处】
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第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
【发表日期】
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2013年6期
其他文献
硼扩散被应用于N型硅基的PN结制结工艺,然而硼扩散过程中会在硅片表面形成难以避免的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能.本文采用HF-HNO3体系化学腐蚀的方法来除去富硼层,去除富硼层后的硅片少子寿命从14.7μs增加到34.4μs,得到了很大的提高,方块电阻的均匀性也表现良好,虽然反射率有细微增加,但是依然认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中.
近年来,晶体硅太阳电池,尤其是多晶硅太阳电池,始终占据着光伏市场的主流地位.在太阳电池向高效化和薄片化发展的趋势下,钝化发射极和背表面电池(PERC)技术受到越来越多的关注,并且已在高效单晶硅电池的研发中获得了广泛应用.本文采用常规156×156mm2 P型多晶硅片,在产业化的多晶硅“冥王星”(Pluto)电池背表面引入量产的PECVD技术制备的氧化铝/氮化硅(AlOx/SiNx)叠层薄膜和背面开