【摘 要】
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采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800℃时在流通高纯氩气条件下热处理20min,能形成MgB2主晶相
【机 构】
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同济大学材料科学与工程学院,上海 200092 长沙隆泰微波热工有限公司,长沙 410013
【出 处】
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第十三届全国微波能应用学术会议暨2007年国际工业微波节能高峰论坛
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采用微波烧结工艺制备了纳米SiC粉末掺杂的MgB2-xSix/2Cx/2(x=0.00,0.03,0.05,0.10)超导块材。X粉末衍射分析表明,800℃时在流通高纯氩气条件下热处理20min,能形成MgB2主晶相。随着掺杂量的增加,MgB2的晶格参数a、c变小。超导电性的分析结果表明：随着纳米SiC掺杂量的增加,MgB2的临界温度由未掺杂时的38.5K降低至掺杂量x=0.10时的34.5K。T≤20K时,MgB2的Jc(B)性能随纳米SiC掺杂量x的增加逐渐变好,高场时尤为明显。T≥25K时,样品的Jc(B)性能随x的增大而逐步降低。这可能是由于纳米SiC掺杂引起的晶粒变小,作为磁通钉扎中心的晶界面积增加造成的。
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