Structural and Magnetic Response in Bimetallic Core/Shell Magnetic Nanoparticles

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shao_xiao_dong
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近年来,各种结构纳米材料的研究成为了一个新的热门课题,特别是磁性纳米材料的制备以及其物性研究倍受人们的关注。目前,关于一维铁磁性纳米线也涌现出许多不同的制备方法,比如:被悬置法、沉积法、元素合成法、自组装法、软/硬模板法等等。其中,利用多孔阳极氧化铝模板电沉积技术的纳米线制备方法,因其良好的可控性和稳定性,在纳米材料制备领域得到了广泛运用。
具有钙钛矿结构的镍氧化物(RNiO3,R 为镧系元素)是一种强关联电子体系,除R=La 外,具有明显的金属-绝缘体相变(MIT).镍酸钐(SmNiO3,SNO)的MIT 发生在室温以上,其相变温度TMI 为400K1.在本研究中,我们采用脉冲激光沉积法,通过沉积温度、激光能量密度、氧分压等工艺参数的优化,在(001)方向的LaAlO3 单晶衬底上成功制备出原子平整、TMI 在室温以上的SNO外延薄
通过压电衬底的逆压电效应产生的应变可以实现对薄膜磁性能的调控。沿压电衬底厚度方向施加电压,可以使磁性薄膜在面内的磁各向异性发生改变,即在面内产生了一个单轴各向异性,其大小可以通过改变电场强度来调控。本论文通过微磁学仿真软件研究了电场对于单晶CoFe2O4和Fe3O4薄膜的磁各向异性及多台阶磁翻转过程的调控。
利用MEMS工艺,实现了Si衬底上高性能的背空结构片上磁膜电感的制作。本研究提出了一种新的片上电感制作方法。为了减小电感工作时铜线圈的欧姆损耗,螺旋线圈的宽度从外到内逐渐减小,但保持每一圈的线宽加线间距为一个定值(wn+sn = 50 μm);其次,在常规电感制造工艺之后,为了减少电感工作时的衬底损耗2,将电感线圈底下的Si衬底使用背硅刻蚀的工艺完全刻蚀掉;最后,为了增加电感的性能,使用磁控溅射工
磁畴畴壁的自旋结构对基于畴壁移动的自旋电子学器件的发展有着十分重要的意义,而自旋极化的低能电子显微镜(Spin-polarized Low Energy Electron Microscopy,SPLEEM)则是一个观察自旋微结构,比如磁畴、畴壁以及Skyrmion等的一个强有力的工具.SPLEEM中不同方向磁畴衬度的来源是由于入射电子自旋(P)与材料内的磁矩(M)之间的交换相互作用产生的自旋相关
通过电场实现对材料磁性的有效调控,对于自旋器件尤其是新型磁存储器的发展具有重要的意义。目前通过电场调控材料磁性的方法主要有:调控稀磁半导体中载流子浓度、铁磁金属中3d电子轨道占位、多铁材料中铁电/铁磁耦合以及反铁磁/铁磁复合材料交换偏置效应等。这些方法通常存在易失、间接以及调控作用弱或难以室温工作等缺点。
已有的致力于提高大磁光效应下的透反射率的工作基本都基于这样的思路,通过等离激元几何结构的调整来平衡磁光性能和光学性能来寻求一个高的品质因子。这样的办法一般来说通常只能在一个或者数个频率上实现光学性能和磁光性能的兼顾。
利用极低温环境(4.2 K)和矢量磁场的自旋极化扫描隧道显微镜(SP-STM),原位探测研究了生长在钛酸锶(001)上的非超导多层FeSe薄膜上Se空位附近的磁性.实验中,我们利用反铁磁的Cr针尖,发现Se空位附近的电子态无论对于面内或面外的外加磁场均表现出以空位为中心四度对称的顺磁磁化.
温度,应力,磁场是诱导马氏体相变的三种驱动,等离子烧结能够耦合三种因素.利用等离子烧结的方法制备了Mn48Co4Ni28Ga20多晶样品,我们发现在1T磁场下,经等离子烧结后的Mn48Co4Ni28Ga20多晶样品其马氏体相变温度对磁场非常敏感,移动幅度达到32.2k/T(未烧结的Mn48Co4Ni28Ga20多晶样品的移动幅度仅为2.6k/T).
A number of researches showed that one-dimensional(1D)nanostructures,such as nanoribbons and nanotubes,can be created with considerably different physical properties from their 2D counterparts due to