一种改进的GaN HEMT工艺晶体管小信号等效电路模型

来源 :2014全国第十五届微波集成电路与移动通信学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kilmic1
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  本文提出一种改进的HEMT晶体管小信号等效电路模型,在等效电路本征部分增加了电感元件来表征器件本征部分的电感特性.利用0.15um GaN HEMT工艺晶体管测试数据进行参数提取和模型仿真,在测试范围内(100MHz到40GHz),该改进的晶体管小信号等效电路模型的S参数仿真结果与测试结果有更高的吻合度.
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