【摘 要】
:
根据计算机辅助工业设计的需要和发展,本文在论述Pro/Engineer Wildfire自身特点及其在工业设计方面主要功能的基础上,通过实例的方式,详细介绍了运用该软件完成产品设计的完整过程.同时,本文还介绍了Pro/Engineer Wildfire与其他设计软件的协同工作的方法与途径.
【机 构】
:
桂林电子工业学院,广西,桂林,541004
论文部分内容阅读
根据计算机辅助工业设计的需要和发展,本文在论述Pro/Engineer Wildfire自身特点及其在工业设计方面主要功能的基础上,通过实例的方式,详细介绍了运用该软件完成产品设计的完整过程.同时,本文还介绍了Pro/Engineer Wildfire与其他设计软件的协同工作的方法与途径.
其他文献
利用LP-MOCVD技术在(0002)蓝宝石衬底上制备出c轴取向高度一致的单晶ZnO薄膜,AFM测量显示其表面形貌为柱状生长的光滑表面,室温及低温光荧光谱测量显示近带边发射和激子发射,没有观察与深能级有关的蓝带等发射.采用Al电极制备出ZnO的MSM结构的光导型探测器原型器件,在紫外波段观察到与带边吸收有关的光电响应.
本文从密集波分复用(DWDM)光网络的发展需求出发,评述了目前支撑光网络关键性光电子器件的发展现状,指出光器件集成芯片,光电子系统集成芯片,尤其是以Si为平台的系统集成芯片和规模化产品技术的研发是未来光电子的发展趋向.
本文应用拉曼散射方法研究了在不同温度下生长在Si(111)衬底上的3C-SiC外延层中的静力学应力.3C-SiC外延层是采用低压化学气相沉积(LPCVD)生长系统,以SiH和CH为气源,在相同的SiH和CH的流量和超低压(30Pa),在三种不同的反应温度(900□,950□,1000□),在Si(111)衬底上外延生长出的.拉曼散射结果揭示了3C-SiC外延层中的静力学应力是张应力,其大小分别为7
本文简要对比了几种GaAs体单晶材料生长工艺的优劣,详细介绍了VB工艺生长过程及其关键技术,介绍了目前国内的VB—GaAs单晶研究水平.
本文通过对于生长过程的在位监测,以及生长后的外延片的结晶和表面测量,研究了在MOCVD生长中,研究了低温缓冲层生长速率对于外延层质量的影响.
本文报道了用溅射后退火反应法在GaAs(110)衬底上制备的高质量GaN薄膜.XRD,XPS,TEM测量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜.在室温下,PL测量发现位于368nm处的强光致发光峰.
运用金属有机物化学气相外延设备(MOCVD),在氮化镓/蓝宝石复合衬底上,采用横向外延生长技术制备出高质量的GaN外延薄膜,并对其进行了TEM、X射线双晶衍射测量和分析.发现在横向生长区的GaN中穿透位错密度大幅度降低,位错排列的方向由窗口区的方向,转为水平方向(方向).X射线双晶ω扫描发现横向生长区GaN的(0001)晶面发生晶面倾斜,即与窗口区GaN的(0001)晶面之间存在有取向差.
液压成形也叫内高压成形,它是利用液体的压力使工件成不同截面形状的一种塑性加工工艺.本文介绍了液压成形原理、工艺过程及在工业上的应用,详细说明了管件液压成型设备的组成.用有限元理论和ANSYS软件对液压成形设备中机架进行分析,指出其理论应用背景及单元的选择,并用传统的方法对其进行设计计算,将两者进行比较得:计算数值相近,均能满足要求,说明设计方法正确.
本文介绍了色选机的国内外发展概况和典型结构,在分析其特点的基础上,指出色选技术可考虑使用检测物料的颜色信息,而不应仅限于物料的光学特性.
本文分析了插齿刀变位系数确定的原则及约束条件,讨论了外插齿刀变位系数设计时应当满足不产生齿顶变尖、被切齿轮齿根过渡曲线干涉、根切和顶切的四个约束条件,给出了新刀设计的最大变位系数和根据刃磨到最后刀齿仍有必要强度所允许的最小变位系数计算公式,编制了插齿刀变位系数计算机辅助运算流程,使插齿刀设计简单快速且便于判断设计的可行性.