非晶InGaZnO薄膜晶体管因具有高迁移率、低温制备过程、低的漏电流和较高的光学透过率等优异特性,a-IGZO TFT被视为下一代有源矩阵液晶显示器(AMLCD)和有机发光二极管显示器(OLED)背板技术的核心.尽管如此,可靠性仍然是的a-IGZO TFT技术的一个关键问题.偏压应力、光照和外界环境都可能使晶体管性能变化或退化,a-IGZO TFT有源层与栅介质层之间存在着高密度的界面态,会影响器件在栅极正偏压下的电学稳定性.本文研究白光照射对非晶InGaZnO薄膜晶体管稳定性的影响，光照下阈值电压偏移减小是偏置引起的界面载流子的捕获作用和光照诱导的载流子释放作用互相竞争的结果。研究进一步发现，在正栅极偏压应力作用之前器件界面存在被捕获的载流子，通过白光照射可以激发，甚至得到释放，因而阈值电压可以恢复至比平衡状态下更低的值。