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在拉制半导体级Si单晶生产中,必须用晶向偏离度准确的籽晶来引拉晶体,方能获得所要求的单晶棒。简述了以{110},{112}为基准面,定向切割〈111〉,〈100〉晶向籽晶的工艺。该工艺克服了原工艺以(111)或(100)为基准面切割籽晶存在的晶向偏离度不能人为控制的主要问题,从而可获得晶向偏差小于0.5°的籽晶。