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本文设计了一种MEMS工艺太赫兹频扫H面扇形喇叭天线,通过对传统H面扇形喇叭天线的过渡曲线进行改变,使得对应不同频率的辐射口面等相位面倾角不同,在保证带内的阻抗匹配和足够增益的基础上,达到频扫目的。在350GHz至372GHz内,实现了低于1.25的驻波比,得到了11.1dB以上的增益,波束频扫角度达到了10.5°。该设计已经利用体硅MEMS工艺加工完成。