【摘 要】
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InGaAs/GaAsSb Ⅱ类超晶格是一种新型的中短波红外材料，通过调整该体系材料的能带结构可以实现2um到4um波段覆盖，目前被广泛用于激光器和探测器。不同于高In组份的InGaAs材
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所,中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083
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InGaAs/GaAsSb Ⅱ类超晶格是一种新型的中短波红外材料，通过调整该体系材料的能带结构可以实现2um到4um波段覆盖，目前被广泛用于激光器和探测器。不同于高In组份的InGaAs材料，该体系的材料晶格常数能够完全匹配于InP衬底，因此能够有效降低材料的生长难度和缺陷密度，生长出高质量的外延层材料，为中短波红外探测提供了一种新的选择。
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理论上证明1.4％的二轴应变能使Ge体材料转变为直接带隙半导体[1],同时张应变还能显著的提高Ge的载流子迁移率,另外Ge与Si基CMOS工艺兼容. 张应变Ge优秀的电学性质与光学性质使