Epi reactor PE 2061 S

来源 :2011上海半导体材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:syfounder
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Information will be given on:· General description· Reactor design details· Typical performance.General descriptionSpecifically designed for severe epi applications :· PowerMos, Discrete, IGBT, Special devices (up to 250 micron, 200ohm*cm)· Thin and thick linear devices(up to 60 microns with buried layers).
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