【摘 要】
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本文研究了不同温度下氮化硅粉体的氧化行为。选取初始氧含量为1.21wt%的氮化硅粉体,在流动的空气中,573 K-1273 K下进行不同温度的氧化。结果表明,氮化硅粉体具有很好的抗氧化性,1073 K以下粉体氧含量几乎没有增加,在1073 K-1273 K之间氧含量缓慢增加,到1273 K氧含量急剧增加。在1273 K下保温5 h和10 h后,氮化硅粉体氧含量分别增加到2.01 wt%和3.26
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本文研究了不同温度下氮化硅粉体的氧化行为。选取初始氧含量为1.21wt%的氮化硅粉体,在流动的空气中,573 K-1273 K下进行不同温度的氧化。结果表明,氮化硅粉体具有很好的抗氧化性,1073 K以下粉体氧含量几乎没有增加,在1073 K-1273 K之间氧含量缓慢增加,到1273 K氧含量急剧增加。在1273 K下保温5 h和10 h后,氮化硅粉体氧含量分别增加到2.01 wt%和3.26 wt%,其表面氧化层厚度由0.45 nm增加到1.05 nm和2.31 nm。并通过理论计算和XPS检测得出,氮化硅粉体的晶格氧含量大约为0.5 wt%。
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