【摘 要】
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随着集成电路工作频率的不断提高以及晶体管的特征尺寸的不断缩小，对ESD(Electronic Static Discharge)保护电路的性能要求越来越高[1]。Yintat Ma和G.P.Li提出的ESD保护电路[2]虽然具有较低的负载电容，但在ESD脉冲电流环境下，电路的峰值电压高于箝位电压，且负载电容较大。本文提出了一种新型的基于InGaP/GaAS工艺达林顿结构的ESD保护电路。通过分析电
【机 构】
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东南大学苏州研究院 高频高功率无线通信实验室,江苏苏州 215123 苏州工业园区教育投资发展有限
【出 处】
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第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议
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随着集成电路工作频率的不断提高以及晶体管的特征尺寸的不断缩小，对ESD(Electronic Static Discharge)保护电路的性能要求越来越高[1]。Yintat Ma和G.P.Li提出的ESD保护电路[2]虽然具有较低的负载电容，但在ESD脉冲电流环境下，电路的峰值电压高于箝位电压，且负载电容较大。本文提出了一种新型的基于InGaP/GaAS工艺达林顿结构的ESD保护电路。通过分析电路结构，说明了改进电路的工作原理,并且利用HBM(Human Body Model)仿真了电路的性能。结果显示：电路的峰值电压和钳位电压都得到了降低。
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利用0.35?m标准CMOS工艺实现了双光电探测器和前置跨阻放大电路TIA、限幅放大电路LA的单片集成。DPD探测器通过屏蔽衬底载流子的扩散抑制了响应电流的拖尾现象从而提高了带宽。零极点补偿结构跨阻放大器通过在反馈网络引入零极点有效地消除了输入电容对放大器带宽的影响，突破了传统TIA直接的带宽-增益折中关系。该跨阻放大器利用零点和极点对消技术隔离了输入寄生电容对带宽的影响。模拟结果显示跨阻放大器在
提出一种多系统芯片（mSoC）的设计和商业化的方法，将多个不同功能的系统集成在一块芯片上，通过可裁剪、可配置的方法使其在不同的场合适应不同的要求。
Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后的又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性，工艺和制程又可与Si工艺兼容，采用Si1-x-yGexC及其Si1-x-yGexCy/Si异质结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistor, HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平
本文提出一种新型RF-LDMOS 功率器件大信号电热耦合模型，其热模型包括分布热模型和瞬时热模型。分布热模型采用3D 镜像方法预测LDMOS 功率器件温度随指条的分布，当器件等比例缩放时，也可采用此模型预测平均热电阻。瞬时热模型采用多时间常数RC 网络为瞬时热效应精确建模。使用该电热耦合模型研究线性化预矫正系统的热记忆效应，通过一个60W 器件的仿真结果可以看出，该模型可以更精确地预测ACPR（A
采用500 MeV不同剂量的快中子辐照掺氮直拉硅（NCZ-Si，Nitrogen-doped Czochralski Silicon），研究了不同快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）温度和降温速率对快中子辐照NCZ-Si中氧沉淀及其诱生缺陷的影响。样品经过不同温度和降温速率的RTP处理后，再经过1100 ℃/20 h常规退火，以形成氧沉淀。实验结果表明：高温RTP
中子辐照直拉硅中氧沉淀以及与氧有关的本征吸除效应研究很多，而关于快中子辐照直拉硅中氧沉淀诱生缺陷的演变研究较少。本文利用化学腐蚀和光学显微镜观察以及透射电子显微镜（TEM）观察的方法，研究了高温退火后快中子辐照直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷的产生及其随退火时间的演变情况。实验发现，间隙氧的减少量（Δ[Oi]）随退火时间延长逐渐增加，辐照样品Δ[Oi]的增加量远大于未辐照样品。高温退火后样品解理面的光学显
研究了快速热处理（RTP，Rapid Thermal Processing）以及热处理气氛对电子辐照直拉硅（CZ-Si）中氧沉淀和清洁区（DZ，Denuded Zone）的影响。采用辐照能量为1.5 MeV、辐照剂量为1.8×1018 e/cm2 的电子辐照直拉硅样品一部分在Ar、N2 两种不同气氛下高温一步退火，另一部分先进行不同温度的RTP 预处理再进行高温一步长时间退火，研究样品中体缺陷和清
本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(Raman)，扫描电子显微镜(SEM)和傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的晶化程度及表面形貌进行了测试分析。实验结果表明,随着温度的提高时间的延长，薄膜的晶化越来越好，温度达到900℃时薄膜的晶化效果最好，随着温度的继续升高晶化情况不再明显变化；相对单
本文设计了一款适用于Bluetooth/ZigBee技术的2.4GHz压控震荡器(VCO)。该VCO采用了对称型噪声滤波技术以降低尾电流源对相位噪声的影响，同时采用了具有较大比率的积累型MOS（Accumulation MOS即AMOS）作为可变电容器以实现VCO在整个可调范围内具有较平坦的调谐增益。该VOC的输出集成了Bias-T 结构实现50.阻抗匹配，整体电路是采用TSMC 的0.18mma
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方程和计算；MOSFET量子效应的模拟模型发展；小尺度效应模型的建立和分析；多晶硅的统一物理模型建立；SMIC的90纳米工艺数据模型验证和模型的多层次实现。最后，展望了ULTRA-B的进一步研究和发展方向，希