【摘 要】
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Hydrogenated polycrystalline silicon (pc-Si∶H) films were prepared using diluted silane (SiH4) with various hydrogen flow rates by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor depositio
【机 构】
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Institute of Plasma Physics, Chinese Academy of Sciences, Hefei 230031
【出 处】
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第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会
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Hydrogenated polycrystalline silicon (pc-Si∶H) films were prepared using diluted silane (SiH4) with various hydrogen flow rates by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition (ECR-PECVD).The influence of different discharging parameters such as hydrogen dilution, substrate temperature, and substrate position on the deposition process was investigated.
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