【摘 要】
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介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相MgZnO(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相MgZnO薄膜的折射率.与己报道的六方相MgZnO(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400~800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相MgZnO薄膜
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室(上海) 浙江大学物理系(浙江杭州)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
介绍了在Si衬底和石英玻璃衬底上生长的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0.55≤x≤1)晶体薄膜的物理特性,AFM和XRD等微结构特性表征显示了良好的表面形貌和高度的(111)取向生长特性.采用Manifacier方法,根据透射光谱中的干涉峰,计算得到立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜的折射率.与己报道的六方相Mg<,x>Zn<,1-x>O(0≤x≤0.5)薄膜的折射率相类似,在400~800nm的可见光区域,不同Mg含量的立方相Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜,其折射率随入射波长的色散关系遵循一阶Sellmeier方程.对给定400nm的入射光波长,当薄膜中的Mg含量由55﹪增至100﹪时,其折射率由1.89衰减至1.73.
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以化学还原法制备了SnSb合金,并对合金的成分、组成及形貌等进行了分析;对合金的嵌脱锂性能研究发现,SnSb合金能与锂形成多种合金,具有良好的嵌脱锂性能,首次循环的库仑效率为74.7﹪,放电容量可达到611mAh·g.研究中还发现热处理能有效地提高电极的循环寿命,增大放电容量,合金电极在氩气保护、300℃温度下处理2h,其40次循环之后比容量仍能保持在440mAh·g.
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利用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO(100)基片上生长了SrBiNbO薄膜.XRD分析表明在MgO基片上生长的薄膜呈(115)单一取向,具有良好的结晶性;XPS数据分析得到薄膜中Sr、Bi和Nb的原子比约为1:2:2.05.利用Z扫描技术对薄膜的三阶非线性光学性质进行了测量,通过开孔(Open-aperture)和小孔(Close-aperture)的测量,计算出三阶非线性光学极化率的实部Re
利用同步辐射白光形貌术和透射电子显微镜,对BiBO晶体的缺陷进行研究.靠近籽晶部位,可以观察到包藏、位错和生长扇面边界,而远离籽晶的位置,没有发现任何微观的缺陷.通过实验观察,孪晶和生长扇面边界可能是导致晶体中褐色区域的形成原因.提出了消除缺陷的方法.
利用射频反应磁控溅射在显微玻璃、单晶硅片、NaCl和石英上沉积ZrO薄膜.膜厚60~80nm.研究发现,溅射气压升高,薄膜结晶程度降低,同时存在单斜相和四方相;晶粒尺寸增大;折射率上升;透射率在700~1000nm波段上升.这些结果表明溅射气压影响ZrO薄膜生长机制、微观结构和成份,进而影响其光学性能.
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