单源共蒸发制备CuInS2薄膜XRD分析

来源 :第十一届中国光伏大会暨展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:anshuly
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单源真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的相结构进行表征,研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理条件对薄膜的结构、导电类型的影响。XRD分析给出:最有效的S的原子配比为X=1.2,可得到黄铜矿结构的CuInS2薄膜,沿(112)晶向择优生长。实验结果显示:合理改变热处理条件,可获得不同导电类型的CuInS2薄膜,同样用Cu:In:S=1:0.1:1.2原子比混合沉积的薄膜,通过400℃热处理20 min,CuInS2薄膜的导电类型为p型;升高温度到440℃,进行热处理10 min,则得到n型CuInS2薄膜。
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用共蒸发法制备了Cu2Te多晶薄膜,并对刚沉积和退火后薄膜的结构、光学性质、电学性质作了表征。结果表明退火对薄膜的结构影响显著,薄膜由非晶态变成了结晶态。经过退火以后薄膜的透过率增加,可见薄膜的晶化有利于光的透过。霍尔效应表明Cu2Te是一种良好的p型材料,退火有利于提高栽流子的迁移率,而其栽流子浓度也达到了1.88×1021cm-3。电导率-温度曲线说明退火过程有利于薄膜的结晶化。
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