自洽求解相关论文
晶格匹配的氮极性(N-polar)GaN/In0.17Al0.83N异质结以其优异的材料与电特性受到了研究者的广泛关注.通过自洽求解薛定谔方程和泊......
对新型复合沟道AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)进行了优化设计.从半导体能带理论与量子阱理论出发,自洽求解了......
近年来,MgZnO宽禁带半导体凭借其独特的材料特性受到了研究人员的广泛关注,是当前光电子和光通信器件领域研究热点之一。由于ZnO和......
对纤锌矿AlxGa1-xN/GaN异质结构,假定其GaN基外沿AlxGa1-xN层采用赝晶生长技术,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,计入自发......
根据载流子分布的连续性，由泊松方程自洽求解，得出了半导体nn结势垒分布的计算方法。在此基础上，计入n区内的电位降，计算了商用发光二......
该文首次建立了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）的二维量子模型，此模型是基于薛定谔方程和泊松方程自洽求解。根据这个模型，他们计算得到了ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＨＥＭＴ沟道......
核物理中的多体问题往往很难精确求解,为了避免相互作用的复杂性,人们发展了一些有效处理核多体问题的近似方法,自洽场方法就是其......
由于InGaN的物理性质，在传统AlGaN／GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层，会使二维电子气的密度提高为原来的近两倍。正是从导带差、极......
通过自洽求解一维泊松方程,计算了应用于微波通信系统的非故意掺杂AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的外延层结构参数对器件的......
利用Broyden算法，通过自洽求解一维半导体量子线的电子浓度分布和电势分布，和常用的牛顿法以及逐次超松弛（SOR）法相比较，确认了Broyden......
比较了用在自洽求解薛定谔方程和泊松方程中改变松弛因子的一般迭代方法和Predictor—corFector迭代方法。数值试验表明，使用一般迭......
异质结双极晶体管(HBT)具有高频、高速、低噪声和高电流驱动能力等优点,特别适合于制作微波及高速数字电路。随着HBT应用的不断开......
学位
近几十年来,全球无线通信产业发展迅速。无论在军事还是民用领域中的应用,都对射频器件的要求越来越高。而一直作为主导的第一代半......
随着高频无线通讯产业的发展,高电子迁移率晶体管（HEMT）因为其低噪声、高功率等特点,在通讯产业中占有越来越重要的地位。而化合物半......
