二维锡硒化合物是近年来新兴的IVA-VIA族半导体材料,其元素储量丰富、成本低廉、对环境友好,在工业化应用和可持续发展中有着巨大的优势。对于其中典型的SnSe和SnSe2层状结构材料,实验研究证实了其优良的光电和热电等物理特性,使其在光电探测、光伏应用、热电转换等方面拥有极大的应用潜力。本论文着眼于高质量二硒化锡和硒化锡二维晶体及其异质结构的可控制备,利用自行搭建的三温区化学气相沉积系统进行材料生长,结合多种表征手段分析了所制备材料的结构特性,并对其光电性能进行了初步的测试,主要研究结果如下:首先,我们考察实验条件对材料生长的影响,发现在富Se条件下,衬底温度为420-510℃范围时,可以在云母衬底上获得二维SnSe2晶体。当衬底温度超过550℃时,SnSe2无法稳定存在于衬底表面,反应产物会分解生成小尺寸的SnSe晶粒。如果适当地调整衬底温度,同时减少Se的供给,可以获得二维SnSe晶体。通过对实验参数的综合调控和优化,我们成功地制备得到了大尺寸高质量的二维SnSe2和SnSe单晶,其横向尺寸可达百微米以上。其次,对所制备的样品进行系统的表征分析,证实了材料具有较高的结晶质量和均匀性。采用微纳加工技术基于所制备的二维晶体制作光电器件,测试其在可见光范围内的光电性能。实验结果显示,SnSe2的光响应度约为57.4 A/W,而SnSe表现出较为明显的瞬态响应和良好的循环稳定性,表明了材料在光电器件中的应用潜力。进一步地,我们基于SnSe2和SnSe的生长经验调整实验参数,成功地利用一步法制备得到SnSe/SnSe2二维垂直堆垛异质结。对其形貌和结构表征显示该异质结是由SnSe和SnSe2单晶薄片堆叠而成,具有较好的晶体质量。对其光电性能进行探测,样品表现出良好的光响应特性。实验结果为高质量的二维锡硒化合物及其异质结构的可控制备和应用提供了参考。