本文设计一种透明ITO薄膜应变计,完成了对ITO薄膜应变计中的敏感栅薄膜、绝缘层薄膜与薄膜应变计结构的制备、研究与选择。这种透明ITO薄膜应变计与传统不透明金属薄膜应变计相比,这种应变计可以在进行微小形变测量的同时还保证具有较高的透光率,不会对被测构件表面造成盲区。本文选用具有高透光率、高稳定性与低电阻率的ITO作为薄膜应变计敏感栅材料。采用磁控溅射法制备ITO敏感薄膜,进行实验分析后发现,随着溅射功率密度的升高到4.16 W/cm2,ITO薄膜出现了(100)晶面择优取向,同时,吸收边也发生了蓝移现象,ITO薄膜的禁带宽度从3.71 eV增加到4.05 eV。在溅射功率密度超过4.16 W/cm2时,ITO薄膜的电阻率与载流子浓度分别保持在4.91×10-4Ω·cm和5.10×1020cm-3左右。此时ITO薄膜结晶状况增强,ITO晶粒由等轴晶向柱状晶转变,光学性能与电学性能得到了增强。采用Si02绝缘薄膜作为绝缘层,选用光刻法,在不锈钢金属基底的悬臂梁表面制备ITO薄膜应变计并进行灵敏度系数测试。结果显示,随着ITO薄膜溅射功率密度升高,ITO晶体结晶状况变好,ITO薄膜应变计灵敏度系数从-4.55到-5.24,在溅射功率密度为6.66 W/cm2时,出现灵敏度系数最大值为-5.24。