光聚合技术因为高效环保等特点,被广泛应用到众多领域,然而由于小分子光引发剂的迁移性和毒性问题,限制了其应用范围,特别是在食品和生物领域。针对该问题,本论文结合纳米材料在聚合物中的应用,制备了三种低迁移、高光引发的纳米SiO₂负载型光引发剂,并对其结构、性能进行了表征和研究,具体内容和结论如下:1、纳米SiO₂负载裂解型光引发剂SiO₂-s-HMPP以异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷（IPTS）为桥梁,采用高能球磨反应法,将裂解型光引发剂2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮（HMPP）键接至纳米SiO₂表面,制备了裂解型纳米SiO₂负载型光引发剂（SiO₂-s-HMPP）。利用傅里叶变换红外光谱FTIR、热失重分析TGA、紫外分光光度计UV-vis对SiO₂-s-HMPP进行表征,结果显示HMPP的接枝率为12%,SiO₂-s-HMPP具备良好的紫外吸收能力。光引发活性实验结果表明3%SiO₂-s-HMPP与0.2%HMPP对1,6-己二醇二丙烯酸酯/二缩三丙二醇二丙烯酸酯（HDDA/TPG600DA）体系的引发聚合效果相当,双键转化率为69.3%。SiO₂-s-HMPP在聚合体系中生成星状结构,提高了聚合物拉伸强度和自身耐迁移性。2、纳米SiO₂负载夺氢型光引发剂SiO₂-s-TX以-氨丙基三乙氧基硅烷（KH550）为桥梁,利用高能球磨反应法,将夺氢型光引发剂1-羧基硫杂蒽酮（TX-COOH）键接至纳米SiO₂表面,制备了夺氢型纳米SiO₂负载型光引发剂（SiO₂-s-TX）。利用FTIR、TGA和UV-vis等手段表征SiO₂-s-TX,发现TX的接枝率为10.1%,SiO₂-s-TX的紫外吸收能力良好。光引发活性实验发现:N-甲基二乙醇胺（MDEA）作为助引发剂,SiO₂-s-TX能有效引发HDDA、TPGDA、PETA和TMPTA四种单体聚合,且3%SiO₂-s-TX与0.5%ITX、0.3%TX-COOH对HDDA/TPG600DA体系的引发聚合效果相当。SiO₂-s-TX能够有效提高HDDA/TPG600DA的拉伸应力,并且耐迁移性良好。3、可聚合纳米SiO₂负载型光引发剂SiO₂-s-ami Ac TX以IPTS和四乙烯五胺（TEPA）为桥梁,将TX-COOH接枝至纳米SiO₂表面,再通过与丙烯酰氯（Ac）反应引入活性双键,制得可聚合夺氢型纳米SiO₂负载型光引发剂（SiO₂-s-ami Ac TX）,表征结果显示其表面上TX的接枝率为7.7%,且SiO₂-s-ami Ac TX具备良好的紫外光吸收能力。在无外添助引发剂情况下,带叔胺结构的SiO₂-s-ami Ac TX能更有效引发单体聚合。在2%MDEA作为助引发剂时,3%SiO₂-s-ami Ac TX与0.5%ITX、0.3%TX-COOH对HDDA/TPGDA体系的引发聚合效果相当,双键转化率达74.8%。SiO₂-s-ami Ac TX综合了SiO₂-s-HMPP和SiO₂-s-TX的优势,既避免了光解碎片迁移问题,也能够参与体系聚合,有效提高了基体的力学性能、热分解温度和自身的耐迁移性。