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硅纳米线作为一种特殊的一维纳米材料,其本身不仅具备了一般纳米材料高比表面积、高活性、易于进行表面化学修饰的特点,还具有独特的电学、光学和热学等方面的性质。近年来,在抗反射和光伏应用方面,硅纳米线阵列表现出了优异的光电转化性能,因而被广泛应用于高效的光电子器件中。本论文首先通过金属银辅助化学刻蚀法制备了大面积高度有序的n-硅纳米线阵列,接下来制作了两种不同类型的光探测器,其一：在n-硅纳米线阵列上表面用热蒸镀法沉积图案化金膜,制成金/n-硅纳米线阵列肖特基结型光探测器;其二,采用自行设计的滴涂