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本文首先介绍了多体理论中的屏蔽效应、介电常数、等离子激发等概念，然后介绍了近期国际上对于石墨单层(graphene)实验和理论方面的研究成果。特别介绍了石墨单层体现的与以往二维电子体系不同的多体性质。之后本文致力于将石墨单层中电子体系的极化函数的零温表达式推广到有限温度，并讨论其多体性质与温度的关系。我们给出了本征及掺杂石墨单层的极化函数的普遍表达式。还原了前人已给出的零温结果。在得到有限温度极化函数表达式的基础上，我们得出本征石墨单层中的介电常数与温度有线性依赖关系。本征石墨单层中，有限温度与零温情况一样不能激发等离子。我们将掺杂石墨单层中的介电常数和等离子色散关系的表达式推广到了有限温度的情况。