射频集成开关及正交输出压控振荡器研究

来源 :中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) | 被引量 : 1次 | 上传用户:nimashabi2009
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本论文有两部分内容组成,第一部分内容论述了X波段射频集成开关的理论和实现。如今射频和微波技术日益发展,高集成度、高性能、低成本成为其发展的趋势。但是传统的GaAs工艺昂贵的成本,限制了微波单片电路的普及。目前,人们为了提高硅衬底在微波集成电路中的性能,大幅度提高了硅衬底的阻抗,使得成熟的硅工艺能够在微波集成电路中使用。本论文基于现有的工艺条件和测试环境,设计制作了X波段射频集成开关并且进行了测试,实测结果与软件仿真较好吻合,基本达到实际的设计指标。同时,通过对测量结果的分析,为使用高阻硅作为衬底材料的下一步设计积累了宝贵的经验,为今后优化设计指明了方向。 本论文的第二部分内容系统论述了用于WLAN 802.11n收发机中正交相位输出电感电容压控振荡器(Quadrature-phase LC VCO)的理论和实现,并且深入浅出地研究了如何改善VCO的相位噪声中的许多关键技术。 首先,本文介绍了振荡器的研究背景和目前比较流行的压控振荡器的基本原理和分类。系统的论述了压控振荡器的工作机制。 然后,本文介绍了正交相位输出的LC压控振荡器的基本原理,从电路原理上论证了几种结构的正交相位输出压控振荡器的优点和缺点。 接着,本文着重论述了如何改善正交相位压控振荡器相位噪声的几种关键技术。详细分析了振荡器的内在振荡机制,并系统总结了几种相位噪声降低技术,提出了上端偏置(Top biased)结构和开关控制偏置(switched biasing),以及交叉控制偏置技术,得到了有效的改善相位噪声的方法。使用Agilent ADS和Cadence IC5033进行了仿真。最后,针对TSMC 0.18μm CMOS射频工艺参数,实际设计了正交相位输出LC压控振荡器,并绘制了版图。由于时间的限制,流片工作正在进行中,本文未能给出测试结果。
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