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该论文系统地开展了熔盐法和气相法生长GaN体单晶及其物性表征的研究,目的是探索在较温和的实验条件下GaN单晶的生长机制和生长工艺.由于Li<,3>N在Li中有很大的溶解度,我们首次提出Li可做助熔剂来生长GaN晶体.分别以Li<,3>N+Ga;Li<,3>N+Ga+Li;Li+Ga为原料在Li-Ga-N体系中生长了GaN晶体,获得了较为合理的工艺条件,以Li<,3>N+Ga为原料,在于个大气压的N<,2>气氛下生长,获得了尺寸为1-4mm无色透明、结晶完好的六方GaN单晶.在大量实验的基础上得出了该体系生长GaN晶体的结晶过程机理,提出了进一步努力的方向.利用单晶摇摆曲线、光致荧光发光光谱(PL谱)、Raman光谱等手段对GaN晶体的品质进行了鉴定;利用光学显微镜、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对晶体的表面形貌和缺陷进行了观察;利用差热及高温下退火样品的XRD和Raman谱手段研究了GaN的热稳定性;测定了GaN的低温电子比热和变温Raman光谱.受升华法生长SiC和AlN晶体以及GaN氢化物气相外延(HVPE)法的启发,分别在石墨和SiC衬底上进行了GaN晶体的生长实验;研究了压力、衬底温度、蒸发源与衬底间温度梯度、间距等因素对晶体生长的影响.在石墨衬底上获得了柱状、片状、粒状的GaN晶体,晶体最大尺寸6×1×0.2mm<3>,2×2×0.2mm<3>,研究了生长条件与晶体的形态学的关系;在SiC衬底上外延,获得了厚度为600μm的GaN单晶膜.利用单晶摇摆曲线和PL谱,AFM等手段对升华法得到的晶体的品质进行了鉴定.