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CdIn2O4(CIO)薄膜是一种n型三元金属氧化物薄膜材料,由于其优异的光电性能和广泛的应用前景而倍受人们的青睐,成为当前透明导电氧化物(TCO)薄膜研究领域的热点之一。目前,商业上制备透明导电薄膜最常用的方法是直流反应磁控溅射法,但利用这种方法制备高质量的CIO薄膜的报道较少,缺乏低成本、大面积商业化制备技术是制约CIO薄膜走向实际应用的障碍之一。为此,本文在综述国内外CIO薄膜的研究发展概况基础上,采用实验研究与理论分析相结合的方法,对CIO薄膜的制备工艺和光电性能进行了较深入的研究。