自1986年来第一个有机薄膜晶体管(OTFTs)诞生以来，经过很多科研人员孜孜不倦的努力下，OTFTs取得了迅猛的发展，但是其总体性能水平尤其是n型半导体远远低于目前的非晶硅器件，此外空气稳定性和热稳定性仍是亟待解决的问题。因此设计并合成新的有机半导体材料仍然是目前比较热门的课题之一。本论文主要以蒽为母核，在其2，6位上进行化学修饰，设计并合成热稳性的蒽衍生物半导体材料，主要内容包括:　　1.以蒽为母核，通过Suzuki反应分别将3-位取代的二苯并呋喃(DBF)和二苯并噻吩(DBT)两个基团引入到蒽的2，6位，设计并合成了蒽衍生物DBTAnt和DBFAnt。这样设计分子的原因是:(i)在蒽的2-、6-位引入DBF或者DBT基团来增加蒽衍生物的π共轭程度和调节分子堆积排列形式;(ii)通过引入DNF或DBT基团增加蒽衍生物的荧光以及热稳定性等性质。DBTAnt和DBFAnt通过元素分析(EA)、高分辨质谱(MS)、紫外可见吸收光谱(UV)、荧光光谱(PL)和循环伏安仪(CV)表征了化合物结构和性能。并通过对化合物DBTAnt和DBFAnt进行了热重分析(TGA)、差示扫描热仪(DSC)热稳定分析，测试结果显示这两个蒽衍生物都具显示了良好的热稳定性。　　2.分别对这两个蒽衍生物DBTAnt和DBFAnt通过真空蒸镀的方式在不懂衬底温度构筑了顶接触式的OTFT器件，这两个有机半导体材料都是随着衬底温度的增加，迁移率先增加然后降低。说明了衬底温度可以影响分子在衬底上的堆积排列，进而影响了其迁移率。DBFAnt表现出较高的迁移率，在衬底温度为80℃时，其迁移率到达了3.0 cm2 V-1 s-1，DBTAnt同样在衬底温度为80℃时的迁移率达到最大值，为0.6 cm2 V-1s-1。两者想对于蒽来说，迁移率都有明显的提高。并通过原子力显微镜(AFM)和X-粉末衍射(XRD)研究了这两个蒽衍生物薄膜状态下微观结构、薄膜膜形态导体的结晶性和优选取向来解释这两个化合物的迁移率的变化。其中BDBFAnt显示了良好的热稳定性质，在退火温度220℃以下，迁移率保持不变，并通过AFM、XRD、UV-Vis和PL等表征手段来探测其表面薄膜形态的变化。　　3.两个蒽衍生物都表现出来较高的迁移率，同时也具有很强的荧光量子产率，这类材料是比较少见的，因为高的迁移率的材料和高荧光量子产率的有机半导体材料需要相反的结构构型，这为后面设计多功能器件的半导体材料提供了一些借鉴意义。