新核素合成扩展了核素图,丰质子重核合成是其重要研究部分。重离子熔合蒸发反应合成重核或超重核可理解为三阶段,即俘获阶段、熔合阶段、存活阶段,本文重点研究存活阶段。本论文的主要内容分为两部分:首先,基于Weisskof蒸发理论结合费米气体模型改进统计蒸发模型,用于描述处于高激发态原子核的退激过程,特别针对丰质子重核,考虑带电粒子（p,d,α）的蒸发;其次,基于双核模型结合改进的蒸发统计模型,对质子数Z=84-90的丰质子重核的合成机制进行了系统的研究。为了描述重离子熔合蒸发反应合成丰质子重核中的存活过程,我们基于Weisskof蒸发理论结合费米气体模型改进统计蒸发模型。改进的统计蒸发模型包含带电粒子蒸发,与中子蒸发相比,带电粒子蒸发需要考虑库仑位垒穿透,在蒸发轻粒子退激过程中结构效应（壳修正,裂变位垒,粒子分离能）起到重要的作用。改进的统计蒸发模型能够解释²⁸Si+¹⁹⁸Pt反应系统蒸发余核截面激发函数,其中带电粒子蒸发起着重要作用。为了研究丰质子重核合成机制,基于双核系统模型（DNS）结合改进的统计蒸发模型,我们以²⁸Si,³²S,⁴⁰Ar为弹核,以¹⁶⁵Ho,¹⁶⁹Tm,^170-174Yb,^175,176Lu,^174,176-180Hf,¹⁸¹Ta为靶核系统地计算质子数Z=84-90的丰质子重核的合成截面,给出可能的弹靶组合和最佳激发能以及最大截面蒸发反应道。通过计算分析发现:N=126中子壳对纯中子蒸发道蒸发截面有一定影响;⁴⁰Ar诱发反应的实验蒸发剩余截面激发函数能够较好地被我们的模型解释;对于丰质子重核退激过程,带电粒子与中子蒸发截面相当,特别是α与p的蒸发道;丰质子重核产生截面随着质量不对称度的变大而增大;纯中子蒸发道对靶核同位素依赖很强烈,而带电粒子蒸发道对奇偶效应较敏感。