近年以来,严重的环境问题和能源短缺成为威胁人类发展的主要问题。自从半导体光催化技术逐渐被科学家们发现,并且发现半导体光催化技术在寻找新能源、解决能源短缺以及光催化降解污染物方面具有潜在的应用价值,越来越引起专家们的重视。自从Ti O2被发现具有光催化产氢性能,且具有其无毒、价格低廉、花费成本少、稳定性良好、能重复回收使用,但研究发现Ti O2只能响应紫外光,限制了在现实生活中的应用。半导体光催化剂不止只有Ti O2一种,随后大量的能用于光催化产氢、二氧化碳还原、光催化降解污染物的光催化材料被陆续发现,例如:金属氧化物、卤氧化物、非金属氧化物,有机聚合物光催化材料被广泛开发。复合材料能够拓宽可见光吸收范围,解决了禁带宽度较大及其仅能紫外光响应的限制,从而将只能响应紫外光的催化剂在可见光下同样适用,且光催化性能是纯的好几倍,被认为是促使光催化氧化还原反应发生的一种高性能半导体光催化剂。近几年以来,钙钛矿型La2Ti2O7具有其分层结构而成为新的最有希望突破被应用于现实生活中的半导体光催化剂。它因氧化还原能力强、稳定性好、无毒无污染成为最有希望的催化剂。钙钛矿型La2Ti2O7分层结构赋予了其独特的光催化性能,中间层成为电子与空穴分离的主要场所。充分利用其分层结构和较高的导带与价带,让光催化性能更好。但和其他光催化剂相同的是它的禁带宽度大（约3.8e V）,只能响应紫外光区。为了减小La2Ti2O7的带隙,与别的光催化剂复合形成异质结是减小禁带宽度、提高电子与空穴的分离效率,提高光催化性能的较好的方法之一。应用半导体光催化技术的基本原理,复合,掺杂,形成固溶体等方法改变半导体可见光响应范围,还能促进电子与空穴的分离效率及稳定性。本论文中,主要围绕拓宽半导体光催化剂的可见光吸收范围,增加电子与空穴的分离效率做了以下工作。通过聚合物半导体材料g-C3N4及金属氧化物Bi2O3与La2Ti2O7复合,研究复合材料的能带关系及光催化性能之间的内在联系。具体内容如下:（一）采用溶剂热法制备了g-C3N4/La2Ti2O7复合材料,通过控制g-C3N4的添加量,形成g-C3N4/La2Ti2O7片状复合材料。通过一系列的分析得出g-C3N4与La2Ti2O7能够形成异质结,增加了电荷传输速率,并通过光催化降解实验与光电流性能测试发现,复合材料的光催化性能远远是纯的3倍左右。（二）采用浸渍法合成Bi2O3/La2Ti2O7复合材料,通过一系列表征说明复合材料已经成功制备。并通过光催化降解实验找到最佳光催化负载比。在可见光照射下,当Bi2O3的量为15%时,能够有效的降解盐酸四环素,可见光光催化降解降解实验表明,Bi2O3-La2Ti2O7复合材料不但对Rh B、MO、和MB等染料具有很好的降解效果,通过对复合前后样品的可见光吸收范围和比表面积相比较,Bi2O3/La2Ti2O7光催化剂的降解性能与高活性反应点数目和电子空穴分离效率密切相关。