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降低光伏电池表面的光反射可有效提高太阳电池的效率，为得到低成本、迅速、稳定的制备大面积微/纳陷光结构的方法，本论文采用自组装技术、无电极化学沉积技术、金属辅助化学刻蚀(MACE)技术制得了三种不同的微/纳陷光结构，研究了制备条件对微/纳陷光结构参数及其减反射性能的影响规律;利用硅纳米线阵列制得了径向p-n结的硅纳米线太阳电池，讨论了制备工艺对太阳电池性能的影响。主要取得以下结果:
1、通过石墨纳米颗粒(GNPs)的自组装技术和MACE技术制得了表面带有硅纳米线(SiNWs)和硅纳米孔(SiNHs)的岛状阵列陷光结构，系统研究了GNPs溶液的浓度和刻蚀溶液中AgNO3的浓度对所制备的岛状结构形貌及岛状结构上SiNWs和SiNHs阵列参数的影响，探明了这种特殊陷光结构的形成机理，获得的陷光表面在300-1100nm光谱范围内平均反射率为3.6％。
2、通过无电极沉积技术和MACE技术成功制备出了方形硅纳米孔(SiNHs)阵列。分析了无电极沉积的银纳米颗粒(AgNPs)的形貌随着沉积时间变化，并研究了刻蚀溶液中AgNO3浓度和刻蚀时间对所制备方形SiNHs陷光结构参数的影响，制备出的陷光结构在300-1100nm光谱范围内平均反射率为3.3％。
3、利用无电极沉积技术和MACE技术成功制备出硅纳米线(SiNWs)阵列。研究了刻蚀溶液中AgNO3浓度和刻蚀时间对SiNWs参数的影响;分析了SiNWs阵列的直径、周期、长度、直径周期比等参数对其减反射性能的影响。当刻蚀溶液中AgNO3浓度为0.04M、刻蚀时间为8min时，得到的SiNWs阵列在300-1100nm波长范围内反射率为2.0％。
4、利用PECVD、磁控溅射、原子层沉积(ALD)等设备对SiNWs阵列处理后制得具有径向p-n结的SiNWs太阳电池，制得光电转换效率为0.374％的太阳电池。虽然目前所制得的SiNWs太阳电池性能较差，但所获得的结论对未来制备高效率的SiNWs电池具有一定的参考价值。