【摘 要】
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影响SiC器件商品化进程的主要问题是器件特性和制造成本,而制约SiC器件最佳性能和降低成本的主要因素是SiC晶体的尺寸和结晶品质。因此,大尺寸、高品质SiC单晶的生长是国际上
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影响SiC器件商品化进程的主要问题是器件特性和制造成本,而制约SiC器件最佳性能和降低成本的主要因素是SiC晶体的尺寸和结晶品质。因此,大尺寸、高品质SiC单晶的生长是国际上一个引人注目的研究热点。影响PVT法生长SiC单晶品质的因素很多,其中Si比C易挥发而导致生长气氛中Si/C摩尔比的不平衡是一个主要因素。本文在原料中添加富余Si粉进行晶体生长,以缓解Si原子大量流失的方法和可行性问题。配合显微观察和X射线衍射测试,得到了以下结论: (1)通过在原料中添加额外的高纯Si粉,生长出来的SiC单晶晶体质量明显提高,微管道缺陷明显减少,相对于未掺入Si粉所得晶体其缺陷密度由405个/cm2降低至285个/cm2。 (2)改变掺入Si粉的方式,对生长的样品进行X射线衍射,比较两种方式下所得晶片样品的同一衍射位置的谱线半峰宽,得出在内置小坩埚中直接掺入高纯Si粉比在内置小坩埚盖上钻孔后掺入Si粉所生长出SiC晶体质量较好。
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