目前国内外光学薄膜制备普遍采用等离子体辅助镀膜技术，该项技术不仅具有节能、不造成环境污染的特点，而且在大规模制造各种高品质的光学薄膜上更具有优势。在薄膜沉积过程中通过离子轰击，可有效提高薄膜和基片之间的结合力，使薄膜结构更加致密，可进一步提高薄膜的光学性能和机械性能。此外，在薄膜沉积过程中通入所需反应气体，反应气体原子在离子源中离化后，可以沉积形成一定化学配比的薄膜。目前国内外利用等离子体辅助沉积光学薄膜技术，在大规模生产红外、紫外波段窄带滤光片等高精度光学薄膜元件中，得到了成功的应用。 本文针对宽束冷阴极离子源进行了研究，介绍了宽束冷阴极离子源的基本原理，并对宽束冷阴极离子源镀膜过程中的电荷积累效应进行了分析。宽束冷阴极离子源引出的离子束宏观上呈现正电性，在镀膜过程中正电荷会在绝缘薄膜表面积累，产生的静电场对后续离子产生排斥作用，降低离子辅助效果，电荷积累严重时会发生打火现象，影响薄膜的质量。针对这种现象，本文对原有的宽束冷阴极离子源进行了改进，通过分时引出电子和离子，降低绝缘薄膜表面的电荷积累效应，提高薄膜质量。实验表明，我们改进后的离子源具有先进性和良好的应用价值，成功的抑制了使用原有宽束冷阴极离子源进行离子束辅助镀膜沉积过程中由于电荷积累效应引起的静电场和打火现象，提高了离子辅助的效果。本文的研究工作可以为进一步的等离子体辅助镀膜研究工作提供重要参考价值和实验结果。