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离子敏感场效应晶体管技术(Ion-Sensitive Field Effect Transistor,ISFET)将电化学和微电子结合在一起,兼具离子选择电极的离子敏感特性和场效应晶体管的特性,具有重要的研究价值。本文以电化学合成的聚合物膜为p H敏感材料,利用场效应晶体管的电信号放大特性,进行了p H敏感电极及传感器的研究。制作以场效应管LF358为输入级的通用性运算放大器,即分离式扩展栅极场效应管(SEGFET)p H传感器。采用循环伏安法,在硅晶片上分别合成聚苯胺(PANI)和聚吡咯(PPy)