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泡沫陶瓷是一种孔隙率高达70%~90%，具有三维立体网络骨架结构和贯通气孔的新型非金属多孔材料。碳化硅材料是共价键极强的化合物，具有良好的高温性能，电性能，机械性能和化学性能。采用碳化硅材质制备泡沫陶瓷，可将碳化硅陶瓷的优良性能和多孔陶瓷的应用有机结合起来，具有广阔的应用前景。本工作采用有机泡沫浸渍法制备泡沫碳化硅陶瓷，研究了各种不同工艺因素对泡沫碳化硅陶瓷性能的影响。应用XRD、SEM、EDS、压汞法等手段，对泡沫陶瓷的性能以及微观结构作了分析与探讨。有机泡沫浸渍工艺要求浸渍用的浆料具有良好的性能。制备泡沫碳化硅陶瓷所用浆料分为水基浆料和非水基浆料两类。在浆料中加入适当的添加剂可获得高固含量、均匀稳定、流变性良好的适于浸渍的浆料。研究表明，水基浆料中加入质量分数为0.08%的分散剂PAM获得的浆料性能最优。非水基浆料中当溶剂量与树脂量比为1ml：1g时，浆料性能最优。水基与非水基碳化硅浆料性能基本类似，具有剪切变稀及时间依附性，呈现正触变特性，满足浸渍工艺的需要。非水基浆料与水基浆料相比，粘度更低，性能更好，更容易浸渍。研究中发现，烧结工艺对样品的性能产生重要的影响。常压烧结获得样品的气孔率随烧结温度的升高而增大；机械强度的高低受烧结温度和气孔率共同制约，在1480℃烧结样品的强度最大，为0.54MPa。常压烧结获得样品的导电性很差，基本属于绝缘体。反应烧结是净尺寸烧结，因此烧结温度对样品气孔率的影响不大。反应烧结获得样品的气孔率主要受坯体容重的影响，随容重的增大而减小。样品的机械强度受气孔率、烧结温度、渗硅量及反应时间的影响，抗折强度最高可达6.704MPa。反应烧结获得样品的导电性良好，电阻率在0.05～0.5Ω·cm.反应烧结工艺制备的泡沫碳化硅陶瓷很好的袭承了泡沫体的网络孔道结构，宏孔尺寸在毫米级，为0.5～3mm；微孔孔径分布呈双峰分布，一部分集中在0.003～0.0351μm，一部分集中在16.4～34.3μm。样品具有较高的孔筋密度（3.2965g/cm3）和比表面积(17.1096m2/g)，为其应用提供了良好的基础。通过对样品电性能的研究发现，添<WP=3>加元素如B、Fe、Al对泡沫陶瓷的电阻率没有起到积极作用，生坯中C含量的多少对最终制品电性能产生很大影响，当进行全C粉渗硅时，电阻率最小为0.066Ω·cm。本研究获得的泡沫碳化硅陶瓷具有良好的渗透性，耐腐蚀性和抗热震性。此外，泡沫碳化硅陶瓷还可以通电发热，加热效率高，可用于流体加热。 颗粒堆积法可获得气孔率为25%～40%的多孔碳化硅陶瓷，与有机泡沫浸渍法相比，该方法制备样品的强度高，电阻率低。可根据对样品性能要求的不同来选择不同的制备工艺。