论文部分内容阅读
使用InGaN/GaN多量子阱作为有效吸收区的p-i-n型太阳电池是Ⅲ族氮化物基太阳电池的研究方向之一。然而,由于外延生长的Ⅲ族氮化物材料仍存在较高密度的缺陷,因此由其制作的太阳电池结构、电学特性和工艺将受其影响。本论文从太阳电池器件角度出发,制备了高开路电压的InGaN/GaN多量子阱太阳电池。具体研究了与p-GaN低接触电阻的工艺条件及其对太阳电池影响、ITO电流扩展层的影响、p-GaN表而位错密度对电池开路电压影响、芯片尺寸影响以及聚光特性。有关研究结果如下：(1)研究了电流扩展层对I