本文基于电子元器件的制造流程,深入结合后道封装中的硅通孔(Through Silicon Via)技术,选择TSV的后通孔(Via-Last)中的深孔绝缘层沉积工艺,展开了详细的讨论。并基于化学气相沉积制备二氧化硅(SiO2)薄膜的方式,选择了等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)技术,以辉光放电的沉积方式对等离子体的产生做了系统的介绍。最后结合SiO2薄膜的单变量试验(Single Variable Test)和结构应力试验,系统性的分析了工艺参数对深孔绝缘层性能的影响。具体研究内容如下:(1)基于PECVD的沉积原理,对等离子体的产生及辉光放电的原理进行了研究,并且针对实际生产中的大型PECVD设备,从设备构造、设备使用和设备工艺三个方面进行了详细的介绍。(2)搜集SiO2薄膜的SVT数据,通过改变腔室的极间距、高频功率、低频功率、腔室压力、TEOS流量、氧气流量、氦气流量、整体气体流量八个工艺参数,研究了工艺参数对薄膜的沉积速率、均匀性、折射率、应力四个性能的影响,并对影响趋势进一步分析研究。(3)进行SiO2薄膜的结构应力试验,研究了 SiO2薄膜0.25μm、0.5μm、1μm三种不同结构,在连续四次相同沉积条件下的膜层结构应力的变化,包括对每种结构下四次沉积膜层的应力分析,以及在常温、高温下的应力分析。(4)结合SVT试验和结构应力试验,研究了开口掩膜形貌、低频功率、腔室压力和分步沉积次数四个条件对孔径5μm、深宽比10:1的TSV孔绝缘层的侧壁覆盖率的影响,最后通过对优化膜层的沉积速率、应力、击穿电压和漏电流主要性能的测试,最终获得连续性良好、性能稳定的深孔绝缘层沉积工艺。