单晶铜拥有极高的信号传输性能、电学性能、抗腐蚀性能和抗疲劳性能,因此在通讯、航天、军工等重要领域得到广泛的应用。为了既实现单晶铜的有效连接,又尽量不损失单晶高纯铜导电性能,本文以单晶铜材料为研究对象,采用冷压焊对其进行连接,研究了不同压缩量和焊后热处理对冷压焊接头晶粒结构、晶粒取向、晶粒尺寸和织构变化以及力学性能和导电性能的影响。主要取得以下结果:当压缩量一定时,沿接头轴向方向上母材区在模具壁剪切力的作用下发生了定向转动,母材区和变形区仍保持单晶结构,变形区在靠近连接界面处出现了极少量的细晶组织;连接界面处出现许多尺寸细小、取向各异的晶粒组织,以及形变带结构。母材区取向最强点偏聚于{111}晶面族,变形区在剪切力的作用下,取向最强点出现在绕TD顺时针旋转约10°的晶面上,在连接接头界面处,织构明显减弱且分布逐渐趋于均匀化。母材区取向主要偏聚在{111}<110>附近;变形区织构取向与母材区相同;而连接接头界面区形成了较弱的{111}<112>织构。随着压缩量的增加,连接界面处再结晶比例呈现先增加后减小的趋势,晶粒逐渐细化,取向各异。接头的抗拉强度也随着再结晶比例呈现先增加后减小的趋势。连接界面处晶面取向最强点先偏聚于{101}晶面族,而后强取向从{101}转变为{111},极密度值急剧减小后略有升高,织构强度也呈现先减小后增加的趋势。当压缩量较小时,单晶铜取向主要聚集在{2(?)51}<2(?)1(?)1>和{2(?)52}<1(?)2(?)4>附近;随着压缩量的增加,聚集在{2(?)51}<2(?)1(?)1>和{2(?)52}<1(?)2(?)4>附近的取向消失,转变为{111}<112>织构;而后{111}<112>织构逐渐向{001}<110>织构迁移,最后偏聚于{111}<110>织构。大角度晶界数量增加,加剧了晶界对电子的散射作用,使电导率略有降低。在相同的压缩量下,对冷压焊接头进行去应力退火(300℃,保温2 h,随炉冷却),在热处理过程中,原子扩散能力增加,许多细小的晶粒经回复再结晶形成了取向各异的粗大晶粒。由于静态回复和再结晶,变形区的硬度明显降低,接头的抗拉强度超越母材。单晶铜冷压焊接头的导电性未受到明显影响,能达到母材的99.24%,冷压焊能实现对单晶铜的有效连接,经热处理之后,接头的物理性能更优异。